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AI驅動記憶體明年可能缺一整年 南亞科等多檔漲停

2025-11-10 15:21:00 / 中央社 /
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(中央社記者張建中台北10日電)人工智慧需求強勁,記憶體廠預期,動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)明年可望缺貨一整年,記憶體族群今天走勢強勁,包括南亞科、華邦電、創見等多檔攻上漲停。

AI資料中心基礎建設需求持續升溫,促使三星(Samsung)、美光(Micron)及SK海力士(Hynix)等記憶體廠紛紛將資源與產能集中於高頻寬記憶體(HBM),使得DRAM與NAND Flash市場供不應求,報價強漲。

因AI需求依然強勁,且短期並無新增產能,記憶體廠預期,記憶體缺貨情況短期恐難以緩解,明年可能缺貨一整年。隨著產品價格揚升,記憶體廠營運成長可期,包括南亞科和華邦電第3季營運已順利轉虧為盈。

記憶體族群今天在市場買盤積極湧入推升下股價齊揚,南亞科、華邦電、創見、群聯、宇瞻等多檔股價強攻漲停。(編輯:張均懋)1141110

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