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台灣拚2030矽製程超越全球 跨部會3大計畫領跑

2023-03-22 15:42:00 / 中央社 /
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(中央社記者張璦新竹22日電)台灣拚2030年矽製程超越全球,跨部會推動次奈米尺度半導體、化合物半導體、關鍵新興晶片設計等3大計畫,各團隊今天齊聚分享研究亮點。國科會主委吳政忠表示,將擴大投入先進製程、新興IC設計應用研發與產業補助。

國科會主辦、經濟部協辦的「2023台灣半導體產學論壇暨半導體領域專案成果發表會」今天在新竹登場,產官學研意見領袖共襄盛舉,論壇觸及半導體人才培育、產學交流、前瞻技術發展等議題。

會中,各學研團隊展現學術及產業應用亮點,聚焦「次奈米尺度的Å世代半導體」、「更高頻耐高壓的化合物半導體元件」、「AI晶片運算與通訊晶片設計」等3大領域。

在AI晶片運算與通訊晶片設計方面,國科會指出,關鍵新興晶片研究計畫,聚焦2025年至2030年下世代所需的晶片設計關鍵技術先期布局,帶動下世代運算、通訊晶片技術及相關前瞻晶片系統電子設計自動化(EDA)設計,並培植高階晶片設計研發人才。

國科會表示,計畫自2022年5月啟動以來,已補助11個學研團隊;其中,陽明交通大學教授黃俊達研究團隊,與Google公司合作,針對糖尿病足潰瘍影像分析,開發HarDNet-DFUS模型,於「2022 MICCAI Diabetic Foot Ulcer Challenge」國際競賽中,榮獲冠軍。

同時,國科會指出,清華大學助理教授彭朋瑞,開發新取樣架構技術的傳收機,整體功率消耗2.6 pJ/bit,已達與國際IC設計大廠同等水準。

此外,經濟部透過法人研發與補助業者的方式,布局AI晶片異質整合、化合物半導體、半導體設備及材料開發等自主技術。

其中,工研院與陽明交通大學、清華大學、中央大學合作,研發出領先法國大廠的磊晶製程技術,以自有專利的鋁含量階梯式設計,與應力釋放層結構,克服磊晶片變形易碎的問題,磊晶產出率領先法國大廠OMMIC 10%以上;工研院指出,已將此專利技轉給國內廠商,加速推進台灣搶占高頻通訊市場。

國科會2021年起攜手經濟部陸續推動Å世代半導體、化合物半導體、關鍵新興晶片設計等計畫,期望在2030年,矽製程超越全球,從製程、人才、技術等方向,對內促進台灣半導體產業鏈共榮互惠,對外減少被國外掌控設備、材料、軟體,以穩固國際戰略地位,擴大資通訊應用市場優勢。(編輯:楊蘭軒)1120322

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