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M31與台積電發布N6e平台記憶體編譯器 搶攻AIoT

2025-09-25 10:48:00 / 中央社 /
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(中央社記者張建中新竹25日電)矽智財(IP)廠M31今天宣布,旗下低功耗IP解決方案擴展至台積電的N6e平台,新推出低漏電(ULL)、極低漏電(ELL)以及低電壓操作(Low-VDD)記憶體編譯器,搶攻智慧物聯網(AIoT)領域。

M31今天參加台積電北美開放創新平台(OIP)生態系論壇,M31發布新聞稿指出,今年再度獲得台積電OIP年度合作夥伴特殊製程IP獎,已連續8年獲獎,展現在台積電OIP生態系中的卓越貢獻與緊密合作關係。

M31總經理張原熏說,M31與台積電長期的合作關係,是M31持續創新的重要基石。從N12e低功耗解決方案到最新的N6e ULL、ELL及Low-VDD記憶體編譯器,M31不斷推出IP協助AIoT與邊緣應用加速晶片設計的成功落地。

其中,ULL記憶體編譯器能實現動態電壓與頻率調整。ELL記憶體編譯器可以提升功耗效率,在深度睡眠模式下可降低高達50%功耗,滿足對能效與晶片面積要求嚴苛的設計需求,同時兼顧速度與彈性。

Low-VDD記憶體編譯器可在僅0.5V的操作電壓下運行,可以大幅降低動態與漏電功耗。張原熏表示,期待未來與台積電及OIP生態系夥伴深化合作,共同推動AI人工智慧驅動技術的持續發展。(編輯:楊凱翔)1140925

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