（中央社華盛頓6日綜合外電報導）路透社引述消息人士報導，美國總統拜登政府計劃對中國記憶體晶片製造商祭出新管制措施，目的在阻撓北京科技野心和軍事發展，但不打算波及韓國三星和SK海力士公司。

消息人士表示，美國商務部計劃本週對中國推出新一波技術出口管制措施，如果長江存儲（YMTC）和長鑫存儲（CXMT）之類的中國企業是在製造先進的動態隨機存取記憶體（DRAM）或快閃記憶體晶片，美方很可能會拒絕美國供應商的申請，不讓他們向這些中企運送相關設備。

不過消息人士說，若是申請許可向在中國生產先進記憶體晶片的外國公司出售設備，當局將採逐案審查，可能會允許這些外商取得設備。

知情人士說：「目標是不傷害非本土企業。」

此舉可望緩解韓國記憶體晶片製造商的疑慮，他們最擔心的就是美國可能會阻礙他們在中國的製造業務，以力阻中國的崛起、重創長江存儲，以及保護處於弱勢的美國記憶體晶片製造商。

不過他們還是擔心逐案審查的標準，遠不如明確批准美國設備出貨到中國工廠，可能導致他們與主管機關爭執哪些應該獲准出貨。

新的管制措施鎖定位於中國的動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片和儲存型快閃記憶體（NAND Flash）晶片製造商。

消息人士表示，美國供應商尋求向位於中國的半導體公司運送設備，如果這些公司生產的是18奈米以上的DRAM晶片、128層以下的NAND快閃記憶體晶片或14奈米以上的邏輯晶片，美國供應商將無須向美國商務部申請許可。

不過，若將精密科技賣給生產18奈米以下的DRAM晶片、128層以上NAND快閃記憶體晶片或14奈米以下邏輯晶片的中國本土晶片製造商，美國企業必須申請許可，將受到嚴格的「拒絕推定」（presumption of denial）標準審查。

消息人士還說，若是尋求將設備賣給在中國營運且生產相同類型晶片的外企，美國供應商也將面臨許可證要求，但申請會逐案審查。

韓國三星（Samsung）在中國陝西省設有生產NAND快閃記憶體晶片的工廠。韓國競爭對手SK海力士公司（SK Hynix）先前收購英特爾公司（Intel Corp.）在大連的NAND快閃記憶體晶片製造業務，並在另一座中國工廠生產DRAM晶片。（譯者：盧映孜/核稿：陳昱婷）1111007