（中央社記者許秩維台北5日電）台師大團隊研究首次證明，光的角動量可作為獨立的資訊控制變數，改變角動量即可實現多階記憶狀態，有助於提升資訊儲存密度與靈活度，未來可應用於光記憶晶片與光子整合電路。

台灣師範大學今天發布新聞稿指出，在資訊科技高速發展的時代背景下，記憶體技術正面臨儲存密度、功耗、速度等3大挑戰；由於傳統電子式與光學式記憶多以「0」與「1」的二進制形式儲存資訊，因此階數有限、效能也受限。

台師大物理系教授藍彥文、陸亭樺領導的研究團隊，聚焦「渦旋光」（具軌道角動量的光束），以單層二硫化鉬為核心材料，構築光電記憶元件，當不同角動量數的OAM光束照射於元件表面時，光場的螺旋結構能促使材料中的陷阱能階密度發生改變，進而控制電荷捕獲與釋放過程。

團隊實驗證明，藉由改變光的角動量即可實現多階記憶狀態，電流讀出值會隨光束值產生明顯且可重現的差異，這代表一個記憶單元不再僅限於二進制，而是可擁有多重可辨識電荷態，大幅提升資訊儲存密度與靈活度。

另外，團隊也透過電流–電壓與時間解析實驗，確認OAM光驅動的多階記憶效應具高穩定性與可重現性；與傳統依賴光強或波長的光控方式相比，此研究首次證實「光的角動量」本身即可作為獨立自由度，帶來全新的記憶操控概念。

研究團隊提到，光的空間結構可使光學自由度轉化為可量化的記憶訊息，助力光電元件邁向高密度、多值化、非接觸式控制，適用於光子運算、AI硬體等；未來可探索如何將OAM光控機制擴展至其他二維材料與異質結構系統，若能與半導體結合，有望應用於光記憶晶片與光子整合電路。（編輯：李亨山）1141105