傳三星逆勢操作擴大晶片產能 搶攻市占率

(中央社首爾26日綜合外電報導)韓國1家報紙昨晚報導指出,儘管預測顯示經濟可能放緩,三星電子公司(Samsung Electronics)仍打算明年在其最大半導體廠房提高晶片產能。
路透社報導,此舉與對手在需求下降和晶片過剩的情況下縮減投資形成鮮明對比。
分析師表示,三星堅持投資計畫可能有助其搶占記憶體晶片市場占有率,並在需求復甦時支撐股價。
「韓國經濟新聞」(Korea Economic Daily)引述不具名業界消息人士報導,三星計劃擴建其位於韓國平澤市的P3工廠,增加12吋DRAM產能。
報導還說,三星還將擴建廠房,增產4奈米晶片,這將根據與客戶所訂的代工合約進行。
今年開始生產儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的P3,是三星最大的晶片製造工廠。
「韓國經濟新聞」報導還說,三星打算明年至少增加10台極紫外光微影(EUV)機台。
三星婉拒發表評論。(譯者:鄭詩韻/核稿:嚴思祺)1111226
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