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傳三星8層HBM3E晶片通過輝達測試 Q4有望供應

2024-08-07 14:48:00 / 中央社 /
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(中央社新加坡/首爾7日綜合外電報導)路透社引述3名知情人士說法報導,韓國三星電子第5代高頻寬記憶體(HBM)晶片的8層版本已通過輝達(NVIDIA)測試,可用於其人工智慧(AI)處理器。

這為全球最大記憶體晶片製造商三星電子(Samsung Electronics)清除一大障礙。在供應能夠處理生成式AI運作的先進記憶體晶片方面,三星一直努力追趕同國的競爭對手SK海力士(SK Hynix)。

消息人士透露,三星和輝達尚未簽署8層HBM3E晶片的供應協議,但很快就會簽署。消息人士還說,預計會從2024年第4季開始供應。

然而,這些消息人士也說,三星的12層版本HBM3E晶片尚未通過輝達測試。

三星和輝達都婉拒置評。(譯者:鄭詩韻/核稿:盧映孜)1130807

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